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長江的策略會上，中科院物理所研究員、博導陳小龍作了《碳化矽晶片的發展》引起很大反響。碳化矽晶片是第三代半導體材料，具有導熱好、耐高溫（600度）等特點，未來將替代矽。因為矽不耐高溫，而集成電路的發展導緻芯片功率餘越來越大，芯片溫度不斷升高，矽作為芯片材料面臨瓶頸。目前碳化矽主要用在照明和雷達、通訊、航天等領域，國際上對我國封鎖技術。天富熱電持有中科合達藍光半導體公司，該公司是天富、中科院物理所、研發團隊組建，具有自主知識産權，是國內具有碳化矽晶片生長技術的企業。11月份該公司的生産基地已開工，07年6月投産。1．項目背景碳化矽（）是繼代半導體材料矽和代半導體材料砷化鎵（）後發展起來的第三代半導體材料。由于具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載。
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